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NE76000: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小167KB，共6页; 制造商NEC(日电)

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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-6

	NE76000	NE76000L
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-6	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最小漏源击穿电压	5 V	5 V
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带	KU BAND	KU BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N3	R-XUUC-N3
元件数量	2	2
端子数量	3	3
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	8 dB	8 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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