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BD538

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小273KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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BD538概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220AB

BD538规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
最大集电极电流 (IC)4 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-609代码e0
最高工作温度140 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)3 MHz

BD538相似产品对比

BD538 BD536
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220AB BD536
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 15 25
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 140 °C 140 °C
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 3 MHz 3 MHz
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