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HB56SW864DBK-6: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小348KB，共33页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56SW864DBK-6概述

EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144

HB56SW864DBK-6规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	NO
最大待机电流	0.032 A
最大压摆率	1.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL

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HB56SW864DBK Series

8,338,608-word

64-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-777A (Z)

Rev.1.0

Jun. 18, 1997

Description

The HB56SW864DBK is a 8M

64 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module

(S.O.DIMM), mounted 32 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W16405) sealed in TCP package and 1 piece

of serial EEPROM (24C02) for Presence Detect (PD). The HB56SW864DBK offers Extended Data Out

(EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the HB56SW864DBK is 144-pin Zig Zag

Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, the HB56SW864DBK makes high density

mounting possible without surface mount technology. The HB56SW864DBK provides common data

inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TCP on the module board.

Features

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type



Lead pitch: 0.80 mm

•

Single 3.3 V (+0.3, –0.15 V) supply

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60/70 ns (max)

CAC

= 15/18 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 4.90/4.32 W (max)



Standby mode (TTL): 230.4 mW (max)

(CMOS): 115.2 mW (max)

17.28 mW (max) (L/LS-version)

•

EDO page mode capability

•

Refresh period



4096 refresh cycles: 64 ms

128 ms (L/LS-version)

•

3 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Self refresh (LS-version)

HB56SW864DBK-6相似产品对比

	HB56SW864DBK-6	HB56SW864DBK-6L	HB56SW864DBK-6LS	HB56SW864DBK-7LS	HB56SW864DBK-7	HB56SW864DBK-7L
描述	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 8MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 8MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 8MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	60 ns	60 ns	70 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX64	8MX64	8MX64	8MX64	8MX64	8MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	NO	NO	YES	YES	NO	NO
最大待机电流	0.032 A	0.0048 A	0.0048 A	0.0048 A	0.032 A	0.0048 A
最大压摆率	1.36 mA	1.36 mA	1.36 mA	1.2 mA	1.2 mA	1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1

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