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TN3019AD27Z: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小449KB，共10页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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TN3019AD27Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN

TN3019AD27Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JEDEC-95代码	TO-226AE
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

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TN3019A

TO-226

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose medium power

amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA and

collector voltages up to 80 V. Sourced from Process 12.

Absolute Maximum Ratings*

Symbol

CEO

CBO

EBO

, T

stg

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current - Continuous

TA = 25°C unless otherwise noted

Parameter

Value

140

7.0

1.0

-55 to +150

Units

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

θJC

θJA

TA = 25°C unless otherwise noted

Characteristic

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Max

TN3019A

1.0

8.0

125

Units

mW/°C

°C/W



1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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	TN3019AD27Z	TN3019AJ18Z	TN3019AD75Z	TN3019AD74Z	TN3019AJ05Z	TN3019AD26Z
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	TO-226AE, 3 PIN	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100	100	100	100	100	100
JEDEC-95代码	TO-226AE	TO-226AE	TO-226AE	TO-226AE	TO-226AE	TO-226AE
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz

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