EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP44/50,.46,32 |
| 针数 | 50 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 60 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.95 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 44 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP44/50,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.00015 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| MB81V18165A-60LPFTN | MB81V18165A-70LPFTN | MB81V18165A-60PJ | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 | EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44 | EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
| 零件包装代码 | TSOP2 | TSOP2 | SOJ |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP44/50,.46,32 | TSOP2, | SOJ, SOJ42,.44 |
| 针数 | 50 | 50 | 42 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 60 ns | 70 ns | 60 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 | R-PDSO-G44 | R-PDSO-J42 |
| 长度 | 20.95 mm | 20.95 mm | 27.3 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM | EDO DRAM | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 44 | 44 | 42 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX16 | 1MX16 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 | TSOP2 | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 3.75 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | J BEND |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm | 10.16 mm |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | FUJITSU(富士通) | - | FUJITSU(富士通) |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 封装等效代码 | TSOP44/50,.46,32 | - | SOJ42,.44 |
| 电源 | 3.3 V | - | 3.3 V |
| 最大待机电流 | 0.00015 A | - | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA | - | 0.18 mA |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
