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KMCJ616512-20

产品描述Non-Volatile SRAM, 1MX8, 200ns, MOS
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文件大小321KB,共16页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMCJ616512-20概述

Non-Volatile SRAM, 1MX8, 200ns, MOS

KMCJ616512-20规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间200 ns
备用内存宽度16
JESD-30 代码X-XXMA-X68
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量68
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED

KMCJ616512-20相似产品对比

KMCJ616512-20 KMCJ616512-25 KMCJ616512-15
描述 Non-Volatile SRAM, 1MX8, 200ns, MOS Non-Volatile SRAM, 1MX8, 250ns, MOS Non-Volatile SRAM, 1MX8, 150ns, MOS
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 200 ns 250 ns 150 ns
备用内存宽度 16 16 16
JESD-30 代码 X-XXMA-X68 X-XXMA-X68 X-XXMA-X68
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 68 68 68
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C 55 °C 55 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
表面贴装 NO - NO
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