Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD116645A8-H

文档预览

HYMD116645A8-H: 产品描述DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小227KB，共16页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYMD116645A8-H概述

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184

HYMD116645A8-H规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.16 A
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

16Mx64 bits

Unbuffered DDR SDRAM DIMM

HYMD116645A(L)8-K/H/L

DESCRIPTION

Hynix HYMD116645A(L)8-K/H/L series is unbuffered 184-pin double data rate Synchronous DRAM Dual In-Line Mem-

ory Modules(DIMMs) which are organized as 16Mx64 high-speed memory arrays. Hynix HYMD116645A(L)8-K/H/L

series consists of eight 16Mx8 DDR SDRAM in 400mil TSOP II packages on a 184pin glass-epoxy substrate. Hynix

HYMD116645A(L)8-K/H/L series provide a high performance 8-byte interface in 5.25" width form factor of industry

standard. It is suitable for easy interchange and addition.

Hynix HYMD116645A(L)8-K/H/L series is designed for high speed of up to 133MHz and offers fully synchronous oper-

ations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control inputs are

latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising

and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high bandwidth. All

input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable latencies and

burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.

Hynix HYMD116645A(L)8-K/H/L series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect function is

implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix to identify

DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.

FEATURES

•

128MB (16M x 64) Unbuffered DDR DIMM based on

16Mx8 DDR SDRAM

JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory mod-

ule (DIMM)

2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

100MHz/125MHz/133MHz

All addresses and control inputs except Data, Data

strobes and Data masks latched on the rising edges

of the clock

•

Data(DQ), Data strobes and Write masks latched on

both rising and falling edges of the clock

Data inputs on DQS centers when write (centered

DQ)

Data strobes synchronized with output data for read

and input data for write

Programmable CAS Latency 2 / 2.5 supported

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

Internal four bank operations with single pulsed RAS

Auto refresh and self refresh supported

4096 refresh cycles / 64ms

ORDERING INFORMATION

Part No.

HYMD116645A(L)8-K

HYMD116645A(L)8-H

HYMD116645A(L)8-L

=2.5V

DDQ

=2.5V

Power Supply

Clock Frequency

133MHz (*DDR266A)

133MHz (*DDR266B)

100MHz (*DDR200)

Interface

Form Factor

184pin Unbuffered DIMM

5.25 x 1.25 x 0.15 inch

SSTL_2

* JEDEC Defined Specifications compliant

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.6/Oct. 02

HYMD116645A8-H相似产品对比

	HYMD116645A8-H	HYMD116645AL8-H	HYMD116645AL8-L	HYMD116645A8-K	HYMD116645A8-L	HYMD116645AL8-K
描述	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184	184
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX64	16MX64	16MX64	16MX64	16MX64	16MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

DSP在自动目标识别中的应用: 自动目标识别（ATR）算法通常包括自动地对目标进行检测、跟踪、识别和选择攻击点等算法。战场环境的复杂性和目标类型的不断增长使ATR算法的运算量越来越大，因此ATR算法对微处理器的处理能力提 ......; 程序天使 DSP 与 ARM 处理器

MSP430WARE++的使用2：RSP1 driver的调用方法: MSP430WARE是一套基于C++语言的开源的MSP430层次化软件架构，支持多种外设。本文将介绍雷达测速芯片RSP1驱动程序的调用方法。 1、硬件原理图采用下图所示的RSP1电路，可以直接调用 ......; Dancing 微控制器 MCU

经典解析电容与电容器: 电容相信大家都不陌生，就算没有见过也听过，在现在的生活中，电容是必不可少的元件之一，大到线路，小到一个小小的电子主板，特别是单相电机的启动，都无不需要电容。什么是电容呢？在这之前我 ......; Jacktang 模拟与混合信号

DSP：应用不断拓展竞争态势加剧: 自20世纪80年代初首枚DSP芯片诞生以来，DSP器件历经20多年的蓬勃发展，其技术性能不断提高，应用领域快速扩展，目前已经成为数字信息时代的核心引擎。另一方面，DSP面临的竞争也在日益加剧。面 ......; liede DSP 与 ARM 处理器

1A线性消费电子芯片方案(CN3056): 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:01 编辑 1A线性锂电池充电器芯片(CN3056) 概述: CN3056是可以对单节锂离子或者锂-聚合物可充电电池进行恒流/恒压充电的充电器电路.该器件内部包 ......; yongzhi 消费电子

2440的nboot仿真问题！: 不知道定义这个题目合不合适？弄了这么久wince，自己感觉对nboot也算是比较理解了。今天突然发现有个很重要的问题，其实我一直都不懂，甚至于从来没想过，今天出去焊接的板子回来，我就直接用sj ......; zserfv8210 嵌入式系统

STM32学习笔记之中断应用概览--以f103为例

　　异常类型　　F103 在内核水平上搭载了一个异常响应系统，支持为数众多的系统异常和外部中断。其中系统异常有8 个(如果把Reset 和HardFault 也算上的话就是10 个)，外部中断有60个。除了个别异常的优先级被定死外，其它异常的优先级都是可编程的。有关具体的系统异常和外部中断可在标准库文件stm32f10x.h 这个头文件查询到，在IRQn_Type 这个结构体里面包含了F10...[详细]
光伏直流熔断器如何申请UL248认证？

光伏直流熔断器是一种用于保护光伏电池组件、逆变器和直流负载的安全装置。为了保证其安全性和可靠性，需要通过UL248认证。在申请UL248认证之前，首先需要确定该产品符合UL标准的要求。UL标准可以通过官方网站或者相关资料获取。然后，需要选择一家符合要求的第三方测试机构-安可捷进行测试。测试公司会对光伏直流熔断器进行多项检测，包括电气性能、机械性能、绝缘性能等。测试结果需要符合UL标准...[详细]
电动汽车和燃油车它们各自的优势是什么

目前电动车来势汹汹，但只是表象而已。燃油车的地位依然无法撼动，电动汽车可以说在环保排放上有着得天独厚的优势，动力也不弱，远远超过同价位的燃油车，但是有很多缺点目前无法克服。电动车目前最大的瓶颈就是电池。电池能量密度低、容量衰减、充电困难以及安全系数是目前电动汽车发展遇到的主要问题。想要提高续航里程那么只需要加大电池容量即可，但是汽车不仅空间有限而且总质量也不宜过高，总质量过大则电耗也会加大...[详细]
硬盘录像机编码融入智能技术解析

DVR市场发展现状 DVR即数字视频录像机，相对于传统的模拟视频录像机，采用硬盘录像，故常常被称为硬盘录像机。它是一套进行图像存储处理的计算机系统，具有对图像/语音进行长时间录像、录音、远程监视和控制的功能。本文重点介绍DVR市场发展现状及未来发展趋势。 DVR市场发展现状伴随着DVR市场规模的扩大，市场的新进者不断增多，这使得DVR市场竞争异常激烈，产品同质化严重。现在随着高清智能摄像机的出...[详细]
小鹏汽车与芯联集成联合开发国内首个混合碳化硅产品实现量产

近日，小鹏汽车与芯联集成联合宣布，国内首个混合碳化硅产品已实现量产。该产品由小鹏汽车设计开发、芯联集成联合开发并量产落地。这一成果为提升新能源汽车的性能和降低成本开辟了新路径。碳化硅（SiC）材料因其卓越的物理特性，如更高的导热系数、击穿电压和开关速度，在功率半导体领域展现出巨大优势，成为推动新能源汽车技术进步和未来发展的关键方向。然而，较高的成本一直制约着碳化硅技术的广泛应用。...[详细]
HY16F188高精度触控厨房秤应用

1. Introduction Electronic scales are gradually replacing traditional measuring tools like springs and balances in everyday life, such as electronic price computing scales and electronic weigh...[详细]
全面解析互动投影系统原理

Definition of interactive projection system: Interactive projection systems, also known as multimedia interactive projection, are available in floor, wall, and tabletop interactive projection....[详细]
共享智慧的变革：研究人员开发群体智能机器人

在自动化技术突飞猛进的今天，机器人之间的协作已不再是科幻场景。试想这样的画面：数十台机器在仓库中搬运货物却互不干扰；在一个餐厅里，机器人能准确将菜品送至指定餐位；又或者在一个工厂里，机器人团队可以根据需求动态调整任务分工。（图片来源：ieeexplore.ieee.org）据外媒报道，国际研究团队依托基于ROS2的开源框架开发新系统，使多个机器人能以智能、灵活且安全的方式协同作业，...[详细]
2025智能机器人发展的思考与建议

基于对十余家智能机器人企业的调研，本文梳理并分析了智能产业发展现状及面临的挑战与分歧，从聚合智能视角提出发展建议。 ...[详细]
STM32串口USART的使用方法和程序

通用同步异步收发器（USART）提供了一种灵活的方法来与使用工业标准NR 异步串行数据格式的外部设备之间进行全双工数据交换。 USART利用分数波特率发生器提供宽范围的波特率选择，支持同步单向通信和半双工单线通信。 1、STM32固件库使用外围设备的主要思路在STM32中，外围设备的配置思路比较固定。首先是使能相关的时钟，一方面是设备本身的时钟，另一方面如果设备通过IO口输出还需要使能IO口的...[详细]
品英Pickering 助力用户在未来汽车测试中处于领先地位

2025中国国际汽车测试展将于2025年8月27-29日在上海世博展览馆举行 2025年8月 22 日，英国克莱克顿海滨 —— 易开发、易部署、高性能的电子测试/验证系统的领先制造商与服务商，模块化信号开关和信号仿真解决方案的全球供应商，英国Pickering集团将在2025年8月27-29日举办的2025中国国际汽车测试展(Automotive Testing Expo China)期间，...[详细]
日本应对功率半导体挑战举步维艰

据《日经新闻》报道，日本在应对中国功率半导体挑战方面表现不佳。日本功率芯片市场主要有五家公司：三菱电机、富士电机、东芝、罗姆和电装，每家公司的全球市场份额均不足5%。市场份额的相似性是合作困难的原因之一，因为他们都不明白为什么要为了建立合作伙伴关系而向同等水平的公司做出让步。合作的另一个问题是产品线不兼容，每家公司都拥有各自为特定客户开发的丰富零部件。尽管东芝和罗姆已同意...[详细]
R型控制变压器在哪些场合得到广泛应用？

日常生活中电源变压器会因为使用场景的不同，电源变压器各自的功能和使用也有所不同，最常见到的可以分为：控制变压器、隔离变压器、整流变压器、三相/单相变压器、高压变压器、工频变压器、低频变压器等，那今天我们就来说说R型控制电源变压器他的功能和有哪些作用，下面我们一起来看看。首先，让我们来看看R型控制变压器的工作原理。控制变压器通常采用电磁感应的工作原理，主要由主线圈和次线圈组成，次线圈在主线圈...[详细]
人机界面和触摸屏的区别？

人机界面：指人操作PLC的一个平台，该平台提供了一个程序与人的接口，是人与计算机之间传递、交换信息的媒介和对话接口，是计算机系统的重要组成部分。它实现信息的内部形式与人类可以接受形式之间的转换。凡参与人机信息交流的领域都存在着人机界面。触摸屏是PLC人机界面的一种。人通过触摸屏幕上的按钮等就可以调整参数或监视参数。但人机界面不一定全部是触摸屏的,有的是在操作面板上安装了若干个按钮,人通过按钮来...[详细]
均胜电子发布机器人全域控制器胸腔及底盘总成方案，赋能多形态机器人多样化场景落地

近日，均胜电子在机器人“大小脑”及关键零部件的核心技术攻关上取得积极进展，推出行业首创的“大小脑融合+供电+散热”一体化集成的具身智能机器人“全域控制器”胸腔及底盘总成，为机器人域控提供新一代解决方案。均胜电子机器人全域控制器胸腔及底盘总成方案一体化集成域控总成，破解行业两大难题凭借拟人的智能和类人的形态，具身智能机器人不断走进我们的生活和工作环境中。与传统工业机器人不同，新...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多