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TPN11003NL

产品描述Nch VDSS≤30V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小231KB,共9页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TPN11003NL概述

Nch VDSS≤30V

TPN11003NL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)31 A
最大漏源导通电阻0.011 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)50 pF
JESD-30 代码S-PDSO-F5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

参考设计

非隔离降压DC-DC转换器
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