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EDI82997C17AC: 产品描述Standard SRAM, 64KX18, 17ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共12页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI82997C17AC概述

Standard SRAM, 64KX18, 17ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

EDI82997C17AC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
包装说明	PLASTIC, LCC-52
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	17 ns
其他特性	ADDRESS LATCH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e0
长度	19.5707 mm
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	52
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX18
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	19.5707 mm

EDI82997C17AC相似产品对比

	EDI82997C17AC	EDI82997C20AC	EDI82997C15AC	EDI82997C12AC	EDI82997C25AC
描述	Standard SRAM, 64KX18, 17ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Standard SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Standard SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Standard SRAM, 64KX18, 12ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Standard SRAM, 64KX18, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]
包装说明	PLASTIC, LCC-52	PLASTIC, LCC-52	PLASTIC, LCC-52	PLASTIC, LCC-52	PLASTIC, LCC-52
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	17 ns	20 ns	15 ns	12 ns	25 ns
其他特性	ADDRESS LATCH	ADDRESS LATCH	ADDRESS LATCH	ADDRESS LATCH	ADDRESS LATCH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
长度	19.5707 mm	19.5707 mm	19.5707 mm	19.5707 mm	19.5707 mm
内存密度	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	52	52	52	52	52
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.35 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	19.5707 mm	19.5707 mm	19.5707 mm	19.5707 mm	19.5707 mm

EDI82997C17AC

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