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KMM366S3253ATS-GH

产品描述Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS
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文件大小141KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMM366S3253ATS-GH概述

Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS

KMM366S3253ATS-GH规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

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KMM366S3253ATS
Revision History
Revision 0.1 (June 7, 1999)
PC100 Unbuffered DIMM
• Skip ICC4 value of CL=2 in DC characteristics in datasheet.
• Define a new parameter of tDAL( 2CLK +20ns), Last data in to Active delay in OPERATING AC PARAMETER.
• Eliminated FREQUENCY vs.PARAMETER RELATIONSHIP TABLE.
• Changed Capacitance and DC Characteristics.
• Symbol Change Notice
I
IL
I
IL
I
OL
Before
Input leakage current (inputs)
Input leakage current (I/O pins)
Output open @ DC characteristic table
I
LI
Io
After
Input leakage current
Output open @ DC characteristic table
Test Condition in
DC CHARACTERISTIC Change Notice
Symbol
I
CC2P ,
I
CC3P
I
CC2N ,
I
CC3N
I
CC4
Before
CKE
V
IL
(max), t
CC
= 15ns
CKE
V
IH
(min), CS
V
IH
(min), t
CC
= 15ns
Input signals are changed one time during 30ns
2 Banks activated
After
CKE
V
IL
(max), t
CC
= 10ns
CKE
V
IH
(min), CS
V
IH
(min), t
CC
= 10ns
Input signals are changed one time during 20ns
4 Banks activated
Revision 0.2 (July 5, 1999)
• Added Notes @OPERATING AC PARAMETER
Notes : 5. For -8/H/L, tRDL=1CLK and tDAL=1CLK+20ns is also supported .
SAMSUNG recommends tRDL=2CLK and tDAL=2CLK + 20ns.
Rev. 0.2 July 1999

KMM366S3253ATS-GH相似产品对比

KMM366S3253ATS-GH KMM366S3253ATS-GL KMM366S3253ATS-G8
描述 Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX64 32MX64 32MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches - 1 1
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