M312L3223ETS-CB3,M312L3223ETS-CB3 pdf中文资料,M312L3223ETS-CB3引脚图,M312L3223ETS-CB3电路-Datasheet-电子工程世界

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M312L3223ETS-CB3: 产品描述DDR DRAM Module, 32MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小442KB，共23页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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M312L3223ETS-CB3概述

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184

M312L3223ETS-CB3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
JESD-609代码	e0
内存密度	2415919104 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.41 A
最大压摆率	3.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

M312L3223ETS-CB3相似产品对比

	M312L3223ETS-CB3	M312L6420ETS-CB3	M312L6423ETS-CB3
描述	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	184
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
JESD-609代码	e0	e0	e0
内存密度	2415919104 bit	4831838208 bit	4831838208 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	184	184	184
字数	33554432 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	32000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX72	64MX72	64MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES
最大压摆率	3.27 mA	5.43 mA	3.89 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大待机电流	0.41 A	0.43 A	-

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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