0.11A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
包装说明 | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-34 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最大输出电流 | 0.11 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大反向恢复时间 | 0.003 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved