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SST4416T-2T2

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SST4416T-2T2概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET

SST4416T-2T2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)0.8 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度135 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

SST4416T-2T2相似产品对比

SST4416T-2T2 SST4416T-1T2
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE
FET 技术 JUNCTION JUNCTION
最大反馈电容 (Crss) 0.8 pF 0.8 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 135 °C 135 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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