ALD1101PA,ALD1101PA pdf中文资料,ALD1101PA引脚图,ALD1101PA电路-Datasheet-电子工程世界

ALD1101PA: 产品描述DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小23KB，共4页; 制造商ALD [Advanced Linear Devices]

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ALD1101PA概述

DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR

ALD1101PA规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ALD [Advanced Linear Devices]
零件包装代码	DIP
包装说明	IN-LINE, R-PDIP-T8
针数	8
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE
配置	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	12 V
最大漏源导通电阻	75 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	70 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

ALD1101PA相似产品对比

	ALD1101PA	ALD1101	ALD1101APA	ALD1101DA	ALD1101SA	ALD1101A	ALD1101B	ALD1101BPA
描述	DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR	DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR	DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR	DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR	DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR	DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR	DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR	DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR
是否无铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅	-	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-	-	不符合
零件包装代码	DIP	-	DIP	DIP	SOT	-	-	DIP
包装说明	IN-LINE, R-PDIP-T8	-	IN-LINE, R-PDIP-T8	IN-LINE, R-GDIP-T8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	-	-	IN-LINE, R-PDIP-T8
针数	8	-	8	8	8	-	-	8
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	-	-	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	-	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	-	-	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE
配置	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS	-	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS	-	-	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	12 V	-	12 V	12 V	12 V	-	-	12 V
最大漏源导通电阻	75 Ω	-	75 Ω	75 Ω	75 Ω	-	-	75 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	-	R-PDIP-T8	R-GDIP-T8	R-PDSO-G8	-	-	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	-	-	e0
元件数量	2	-	2	2	2	-	-	2
端子数量	8	-	8	8	8	-	-	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	-	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	125 °C	70 °C	-	-	70 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	-	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	-	-	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	-	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W	-	0.5 W	0.5 W	0.5 W	-	-	0.5 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified
表面贴装	NO	-	NO	NO	YES	-	-	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	-	-	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	-	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	-	-	SILICON

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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