EDI2KG46464V95D,EDI2KG46464V95D pdf中文资料,EDI2KG46464V95D引脚图,EDI2KG46464V95D电路-Datasheet-电子工程世界

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EDI2KG46464V95D: 产品描述SRAM Module, 256KX64, 9.5ns, CMOS,; 产品类别存储存储; 文件大小333KB，共8页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI2KG46464V95D概述

SRAM Module, 256KX64, 9.5ns, CMOS,

EDI2KG46464V95D规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	9.5 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N120
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端子数量	120
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM120
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	3.14 V
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

EDI2KG46464V95D相似产品对比

	EDI2KG46464V95D	EDI2KG46464V10D	EDI2KG46464V15D	EDI2KG46464V11D	EDI2KG46464V12D
描述	SRAM Module, 256KX64, 9.5ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX64, 10ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX64, 15ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX64, 11ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX64, 12ns, CMOS,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	9.5 ns	10 ns	15 ns	11 ns	12 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N120	R-XDMA-N120	R-XDMA-N120	R-XDMA-N120	R-XDMA-N120
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	120	120	120	120	120
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX64	256KX64	256KX64	256KX64	256KX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM120	DIMM120	DIMM120	DIMM120	DIMM120
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	-	-	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]
最大待机电流	-	0.35 A	0.35 A	0.35 A	0.35 A
最大压摆率	-	1.2 mA	0.9 mA	1.1 mA	1 mA

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