Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | LSSOP, SSOP72,.5 |
| 针数 | 36 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 600 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G36 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 25.1 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 36 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 2MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSSOP |
| 封装等效代码 | SSOP72,.5 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.7 mm |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.5 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| KM48RC2H-A60 | KM48RC2H-A66 | KM49RC2H-A60 | KM49RC2H-A66 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36 | Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36 | Rambus DRAM, 2MX9, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36 | Rambus DRAM, 2MX9, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | LSSOP, SSOP72,.5 | LSSOP, SSOP72,.5 | LSSOP, SSOP72,.5 | LSSOP, SSOP72,.5 |
| 针数 | 36 | 36 | 36 | 36 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 600 MHz | 667 MHz | 600 MHz | 667 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G36 | R-PDSO-G36 | R-PDSO-G36 | R-PDSO-G36 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 25.1 mm | 25.1 mm | 25.1 mm | 25.1 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 18874368 bit | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM | RAMBUS DRAM | RAMBUS DRAM | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 36 | 36 | 36 | 36 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 | 2000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 2MX8 | 2MX8 | 2MX9 | 2MX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSSOP | LSSOP | LSSOP | LSSOP |
| 封装等效代码 | SSOP72,.5 | SSOP72,.5 | SSOP72,.5 | SSOP72,.5 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.7 mm | 1.7 mm | 1.7 mm | 1.7 mm |
| 最大待机电流 | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.5 mA | 0.5 mA | 0.5 mA | 0.5 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V | 3.45 V | 3.45 V | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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