电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SM6T12CA

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共3页
制造商General Instrument Corp
下载文档 详细参数 全文预览

SM6T12CA在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SM6T12CA - - 点击查看 点击购买

SM6T12CA概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

SM6T12CA规格参数

参数名称属性值
厂商名称General Instrument Corp
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW INDUCTANCE, UL FLAMMABILITY
最大击穿电压12.6 V
最小击穿电压11.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压10.2 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL

文档预览

下载PDF文档
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
SM6T SERIES
T
RANS
Z
ORB
™ SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Breakdown Voltage -
6.8 to 220 Volts
Peak Pulse Power -
600 Watts
FEATURES
DO-214AA
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
For surface mounted applications in order
to optimize board space
Low profile package
Built-in strain relief
Glass passivated junction
Low inductance
Excellent clamping capability
Repetition Rate (duty cycle): 0.01%
Fast reponse time: typically less than 1ps from 0 volts to
V
BR
min.
Typical I
D
less than 1µA above 10V
High temperature soldering: 250°C/10 seconds
at terminals
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
MECHANICAL DATA
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.008 (0.203)
MAX.
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
JEDEC DO-214AA (SMB) molded plastic over
passivated junction
Terminals:
Solder plated solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
For uni-directional types: Color band
denotes positive end (cathode)
Standard Packaging:
12mm tape (EIA STD RS-481)
Weight:
0.003 ounces, 0.093 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOLS
VALUE
UNIT
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000µs
waveform
(NOTES 1, 2, Fig. 1)
Peak Pulse Current on 10/1000µs
waveform
(NOTE 1, Fig. 3)
Power Dissipation on Infinite Heatsink, T
A
=50°C
Peak Forward Surge Current, 10ms Single Half Sine-wave,
Undirectional Only
Max. Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
(NOTE 2)
Thermal Resistance Junction to Leads
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
R
ΘJA
R
ΘJL
Minimum 600
See Table 1
5.0
100
150
-65 to +175
100
20
Watts
Amps
Watts
Amps
°C
°C
°C/W
°C/W
NOTES
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig. 2
(2) Mounted on 5.0mm
2
(.013mm thick) land areas.
(3) Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent squarewave, duty cycle 4 pulses per minute maximum.
1/21/99
电磁兼容的设计方法介绍(五)
在介绍了关于电磁辐射的几个重要的观念后﹐我们将会针对修改对策方法与方向做一个介绍﹐以使得读者除了认识一些基本概念外﹐也能够实际的运用在产品的对策修改上。 很多电磁兼容的对策工程师会 ......
taozi 电源技术
TMS570LS3137开发板的程序
买了一块TMDS570LS31HDK,但是这个板卡的示例程序谁有?比如TF卡的 ...
feitian2017 微控制器 MCU
怎样设计频率测量电路测晶振的频率
晶振的频率为38KHz,怎样设计频率测量电路测晶振的频率,求大神讲解一下 ...
JERRR 模拟电子
C2000晒晒 +闻亭28335EVM+各种资料
实验室的闻亭28335EVM 几年前买的,10套用来作教学实验用,效果还不错~ 据说当年BOSS上学的时候想学DSP,那个时候成本太高了,于是找到TI的代理闻亭,然后闻亭就借给BOSS一套DSP和仿真器,借 ......
juring 微控制器 MCU
【KW41大赛作品提交】无线数据采集系统
不好意思,这个项目由于种种个人原因一直拖到最后一刻才提交作品。其实在我自己看来也只是基本实现预期功能,想要达到真正能称其为作品,里面还有大量的工作需要做,因为时间有限,只能先做到这 ......
sptt1 NXP MCU
求助关于TI为 历年大学生电子竞赛所出的题目
请问谁知道在那里可以找到TI 为 历年大学生电子竞赛所出的题目,谢谢...
守月 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1687  1209  1364  2859  2494  40  22  27  34  57 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved