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HY62SF16400ALLM-85I

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
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文件大小142KB,共8页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62SF16400ALLM-85I概述

Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

HY62SF16400ALLM-85I规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间85 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度8.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)2.3 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度7.2 mm

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HY62SF16400A Series
256Kx16bit full CMOS SRAM
DESCRIPTION
The HY62SF16400A is a high speed, super low
power and 4Mbit full CMOS SRAM organized as
256K words by 16bits. The HY62SF16400A uses
high performance full CMOS process technology
and is designed for high speed and low power
circuit technology. It is particularly well-suited for
the high density low power system application.
This device has a data retention mode that
guarantees data to remain valid at a minimum
power supply voltage of 1.2V.
FEATURES
Fully static operation and Tri-state output
TTL compatible inputs and outputs
Battery backup
-. 1.2V(min) data retention
Standard pin configuration
-. 48-ball uBGA
Product No.
Voltage
(V)
Speed (ns)
Operation
Current/Icc(mA)
3
3
HY62SF16400A
1.7~2.3
85/100/120
HY62SF16400A-I 1.7~2.3
85/100/120
Note 1. Blank : Commercial, I : Industrial
2. Current value is max.
Standby
Current(uA)
LL
SL
10
2
10
2
Temperature
(°C)
0~70
-40~85(I)
PIN CONNECTION
1
A
B
C
D
E
F
G
H
/LB
IO9
BLOCK DIAGRAM
5
A2
/CS
IO2
IO4
IO5
IO6
2
/OE
3
A0
A3
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
6
NC
A0
ROW
DECODER
I/O1
SENSE AMP
1
/UB
IO1
COLUMN
DECODER
IO10 IO11 A5
Vss
Vcc
IO12 A17
IO13 NC
IO3
ADD INPUT
BUFFER
PRE DECODER
I/O8
DATA I/O
BUFFER
Vcc
Vss
IO7
A17
MEMORY ARRAY
256K x 16
WRITE DRIVER
I/O9
BLOCK
DECODER
IO15 IO14 A14
IO16 NC
NC
A8
A12
A9
/WE IO8
A11
NC
I/O16
/CS
uBGA
/OE
/LB
/UB
/WE
PIN DESCRIPTION
Pin Name
/CS
/WE
/OE
/LB
/UB
Pin Function
Chip Select
Write Enable
Output Enable
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)
Upper Byte Control(I/O9~I/O16)
Pin Name
I/O1~I/O16
A0~A17
Vcc
Vss
NC
Pin Function
Data Inputs/Outputs
Address Inputs
Power(1.7~2.3)
Ground
No Connection
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev.07 / Jun.00
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