Buffer, CMOS, CDIP16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUFFER |
| 最大I（ol） | 0.008 A |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 26 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| KS54HCTLS4050J | KS74HCTLS4050J | |
|---|---|---|
| 描述 | Buffer, CMOS, CDIP16 | Buffer, CMOS, CDIP16 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUFFER | BUFFER |
| 最大I（ol） | 0.008 A | 0.008 A |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 26 ns | 21 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
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