IRHNA597260SCS,IRHNA597260SCS pdf中文资料,IRHNA597260SCS引脚图,IRHNA597260SCS电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHNA597260SCS

IRHNA597260SCS: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小119KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRHNA597260SCS概述

Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN

IRHNA597260SCS规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	320 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	35.5 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	142 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRHNA597260SCS相似产品对比

	IRHNA597260SCS	IRHNA593260PBF	IRHNA597260PBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compli
雪崩能效等级（Eas）	320 mJ	303 mJ	320 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	35.5 A	33.5 A	35.5 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω	0.102 Ω	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	142 A	134 A	142 A
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
最高工作温度	-	150 °C	150 °C

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