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JANTXV2N6193

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小160KB,共3页
制造商Cobham PLC
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JANTXV2N6193概述

Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

JANTXV2N6193规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/561
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)2020 ns
最大开启时间(吨)200 ns

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PNP Power Silicon Transistor
2N6193
Features
Available in commercial, JAN, JANTX, JANTXV, JANS
and JANSR 100K rads (Si) per MIL-PRF-19500/561
TO-39 (TO-205AD) Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation
@ TA = 25 °C
@ TC = 25 °C
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
IB
PT
Top, Tstg
Value
100
100
6.0
5.0
1.0
1.0
17.5
-65 to +200
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
°C
Operating & Storage Temperature Range
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Symbol
R
θJC
Maximum
10
Units
°C/W
Electrical Characteristics (TA = 250C unless otherwise noted)
OFF Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
IC = 50 mAdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 100 Vdc
Emitter - Base Cutoff Current
VEB = 6.0 Vdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 90 Vdc, VBE = +1.5 Vdc
Collector - Base Cutoff Current
VCE = 100 Vdc
Symbol
V(BR)CEO
ICEO
IEBO
ICEX
ICBO
Mimimum
100
---
---
---
---
Maximum
---
100
100
10
10
Units
Vdc
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
Revision Date: 4/22/2014
1

JANTXV2N6193相似产品对比

JANTXV2N6193 JANTX2N6193 JAN2N6193 JANS2N6193
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-39, 3 PIN
厂商名称 Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39 TO-39 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/561 MIL-19500/561 MIL-19500/561 MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 2020 ns 2020 ns 2020 ns 2200 ns
最大开启时间(吨) 200 ns 200 ns 200 ns 200 ns
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