Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN4602TE85N

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RN4602TE85N: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小264KB，共5页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN4602TE85N概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

RN4602TE85N规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V

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RN4602

TOSHIBA Transistor Silicon PNP · NPN Epitaxial Type

(PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN4602

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

Unit: mm

Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

SM6

R1: 10kΩ

R2: 10kΩ

(Q1, Q2 Common)

Q1 Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

CBO

CEO

EBO

Rating

−50

−10

−100

Unit

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

Weight: 15 mg (typ.)

―

2-3N1A

Q2 Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

CBO

CEO

EBO

Rating

100

Unit

2011-01-07

RN4602

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including without limitation, the EU RoHS Directive. TOSHIBA assumes no liability for damages or losses occurring as a result of

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2011-01-07

RN4602TE85N相似产品对比

	RN4602TE85N	RN4602TE85R	RN4602(TE85R)	RN4602(TE85L)	RN4602TE85L
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50	50	50	50	50
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	-
基于收集器的最大容量	6 pF	6 pF	-	-	6 pF
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	-	150 °C
VCEsat-Max	0.3 V	0.3 V	-	-	0.3 V

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