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HGT1S20N60C3S: 产品描述45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小500KB，共7页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HGT1S20N60C3S概述

45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB

	HGT1S20N60C3S	HGTG20N60C3
描述	45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB	45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	45 A	40 A
集电极-发射极最大电压	600 V	600 V
配置	SINGLE	SINGLE
最大降落时间（tf）	210 ns	210 ns
门极发射器阈值电压最大值	6.3 V	6.3 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-247
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	2	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	164 W	164 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大上升时间（tr）	28 ns	28 ns
表面贴装	YES	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	388 ns	720 ns
标称接通时间 (ton)	52 ns	74 ns

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ