HGT1S14N41G3VLS,HGT1S14N41G3VLS pdf中文资料,HGT1S14N41G3VLS引脚图,HGT1S14N41G3VLS电路-Datasheet-电子工程世界

HGT1S14N41G3VLS: 产品描述TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,445V V(BR)CES,TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小146KB，共8页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HGT1S14N41G3VLS概述

TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,445V V(BR)CES,TO-220AB

	HGT1S14N41G3VLS	HGTP14N41G3VL
描述	TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,445V V(BR)CES,TO-220AB	TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,445V V(BR)CES,TO-220AB
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
集电极-发射极最大电压	445 V	445 V
门极发射器阈值电压最大值	2.2 V	2.2 V
门极-发射极最大电压	10 V	10 V
JESD-609代码	e0	e0
最高工作温度	175 °C	175 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	136 W	136 W
最大上升时间（tr）	4500 ns	4500 ns
表面贴装	YES	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190