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IDT71982S25Y

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
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文件大小264KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71982S25Y概述

Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

IDT71982S25Y规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, SOJ-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度17.9324 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.556 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.5184 mm
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