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VTS3080H

产品描述DIODE PHOTO 925NM SIDE LOOKING; Wavel
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小242KB,共2页
制造商Excelitas
标准
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VTS3080H概述

DIODE PHOTO 925NM SIDE LOOKING; Wavel

VTS3080H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Excelitas
Reach Compliance Codeunknow
有效面积93 sq mm
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
开路输出电压0.45 V
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
光电设备类型PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
峰值波长925 nm
半导体材料SILICON
表面贴装NO

VTS3080H相似产品对比

VTS3080H VTS3082H VTS3085H
描述 DIODE PHOTO 925NM SIDE LOOKING; Wavel DIODE PHOTO 925NM SIDE LOOKING; Wavel DIODE PHOTO 925NM SIDE LOOKING; Wavel
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Excelitas Excelitas Excelitas
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
有效面积 93 sq mm 93 sq mm 93 sq mm
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
开路输出电压 0.45 V 0.45 V 0.45 V
最高工作温度 125 °C 105 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
光电设备类型 PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
峰值波长 925 nm 925 nm 925 nm
半导体材料 SILICON SILICON SILICON
表面贴装 NO NO NO
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