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IDT70125L35JG8

产品描述Dual-Port SRAM, 2KX9, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.75 X 0.75 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52
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文件大小263KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT70125L35JG8概述

Dual-Port SRAM, 2KX9, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.75 X 0.75 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52

IDT70125L35JG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数52
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e3
长度19.1262 mm
内存密度18432 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度19.1262 mm

 
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