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BU999

产品描述25A, 140V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共2页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BU999概述

25A, 140V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218

BU999规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压140 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)12
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值106 W
最大功率耗散 (Abs)106 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)1750 ns
VCEsat-Max1.5 V

 
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