Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-276AB, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | TT Electronics plc |
包装说明 | HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 7.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-276AB |
JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 60 MHz |
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