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1N5820

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3A, 20V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小73KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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1N5820概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3A, 20V V(RRM),

1N5820规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流2000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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