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HY62V8100ALLP-12I

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
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文件大小303KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62V8100ALLP-12I概述

Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

HY62V8100ALLP-12I规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T32
长度42.037 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.953 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
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