Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4D553238F-JC2A0

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K4D553238F-JC2A0: 产品描述DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144; 产品类别存储存储; 文件大小297KB，共17页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4D553238F-JC2A0概述

DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

K4D553238F-JC2A0规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	144
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B144
长度	12 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	8MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.9 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	12 mm

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K4D553238F-JC

256M GDDR SDRAM

256Mbit GDDR SDRAM

2M x 32Bit x 4 Banks

Graphic Double Data Rate

Synchronous DRAM

with Bi-directional Data Strobe and DLL

(144-Ball FBGA)

Revision 1.0

March 2004

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 1.0 (Mar. 2004)

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描述	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合	符合	符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,
针数	144	144	144	144	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.6 ns	0.7 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.7 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144
长度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144	144	144	144	144
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
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最高工作温度	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C
组织	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	240	260	240	260	240	240	260	260	260	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.9 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.9 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.7 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.8 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.8 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30
宽度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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