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K1S28161CM-I0000

产品描述Pseudo Static RAM, 8MX16, 70ns, CMOS, TBD
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文件大小135KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K1S28161CM-I0000概述

Pseudo Static RAM, 8MX16, 70ns, CMOS, TBD

K1S28161CM-I0000规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度16
功能数量1
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.1 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)2.9 V
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL

K1S28161CM-I0000相似产品对比

K1S28161CM-I0000 K1S28161CM
描述 Pseudo Static RAM, 8MX16, 70ns, CMOS, TBD DRAM
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A EAR99

 
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