Pseudo Static RAM, 8MX16, 70ns, CMOS, TBD
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 70 ns |
内存密度 | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | PSEUDO STATIC RAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 8MX16 |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.1 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.9 V |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
K1S28161CM-I0000 | K1S28161CM | |
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描述 | Pseudo Static RAM, 8MX16, 70ns, CMOS, TBD | DRAM |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | EAR99 |
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