ＩＧＢＴ
Module
５０ Ａ／６００Ｖ
□ 回 路 図
：
ＣＩＲＣＵＩＴ
□
外 ½ 寸 法 図
93.00
4× 15.24= 60.96
16.02 15.24
12.62
17
ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ
：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
4-Ø 6.00
13
13
16
17
15
14
45.00
41.91
28.4
1
2
5
6
9
10
CL
2-Ø 5.50
3
4
7
8
11
12
1
12
2.50
3.81
8.00
11.43
5× 11.43= 57.15
70.40
107.00
1.15× 1.00
21.00
13.00
LABEL
104.20
7.00
2.00
15.00
15.00
11.00
32.00
CL
4-Ø 2.10
Dimension:［mm½
□ 最 大 定 格
：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（at T
C
=25°C unless otherwise specified）
Ｉ½½½
Ｓ½½½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
Ｕ½½½
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲート・エミッタ間電圧
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｖ oltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ
レ
ク
タ
損
失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
Ｓtorage Ｔemperature
絶
縁
Ｉsolation
度
Ｒange
ＤＣ
１½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
６００
±２０
５０
１００
２５０
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
２（２０.４）
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
(ＲＭＳ）
Ｎ・½
(kgf½cm)
耐
圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍ ounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□
電 気 的 特 性
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（at T
j
=25°C unless otherwise specified）
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
Ｓ½½½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｍ½½.
Ｔ½½.
Ｍ½½.
Ｕ½½½
コ
レ
ク
タ
遮
断
電
流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ
ー
ト
漏
れ
電
流
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｌ eakage Ｃ urrent
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 ½ 和 電 圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ
ー
ト
し き い 値 電 圧
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｔ hreshold Ｖ oltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
上 昇
スイッチング時間
Ｓ witching Ｔ ime
□
時 間
Ｒise
Ｔime
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall
Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ(sat)
Ｖ
ＧＥ(th)
Ｃ
½½½
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｖ
ＣＥ
= 600V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 50A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 50mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
=
Ｒ
Ｌ
=
Ｒ
Ｇ
=
Ｖ
ＧＥ
=
300V
6.0Ω
20Ω
±15V
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
－
－
２.１
－
2,500
０.１５
０.２５
０.１０
０.３５
１.０
１.０
２.６
８.０
－
０.３０
０.４０
０.３５
０.７０
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
μ½
フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ（at
T
C
=25°C）
Ｉ½½½
Ｓ½½½½½
＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（at
T
j
=25°C）
Ｕ½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
順
電
流
Ｆ orward
Ｃ urrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
ＤＣ
１½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
５０
１００
Ｍ½½.
Ｔ½½.
Ｍ½½.
Ａ
Ｕ½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆
回
復
時
間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
□ 熱
的
特 性
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｉ
Ｆ
= 50A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 50A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 100A/μs
－
－
１.９
０.１５
２.４
０.２５
Ｖ
μ½
：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
Ｓ½½½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｍ½½.
Ｔ½½.
Ｍ½½.
Ｕ½½½
熱
抵
抗
Ｔ hermal Ｉ mpedance
ＩＧＢＴ
Ｄiode
Ｒth(j-c)
Junction to Case
（Tcチップ直下での測定点）
－
－
－
－
０ .５ ０
１ .１ ０
℃／Ｗ
Fig.1-
Output Characteristics (Typical)
100
Fig.2-
Output Characteristics (Typical)
Tj=25°C
100
Tj=125°C
V
GE
=20V
12V
V
GE
=20V
90
12V
11V
90
15V
80
80
15V
Collector Current I
C
(A)
70
60
50
40
30
20
10
0
Collector Current I
C
(A)
70
60
50
40
30
20
11V
10V
10V
9V
9V
8V
8V
10
5
0
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
16
Fig.4-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Tj=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Tj=125°C
I
C
=25A
50A
100A
I
C
=25A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
50A
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
100A
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.5-
Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
400
350
16
Fig.6-
Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
10000
RL=6.0
Tj=25°C
14
3000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
Tj=25°C
Cies
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
300
250
200
150
100
50
0
12
10
Capacitance C (pF)
1000
Coes
V
CE
=300V
200V
100V
8
6
4
2
0
200
300
Cres
100
0
50
100
150
30
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.7-
Collector Current vs. Switching Time (Typical)
1
10
Fig.8-
Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
GE
=±15V
Tj=25°C
Resistive Load
0.8
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
t
OFF
0.6
V
CC
=300V
R
G
=20
V
GE
=±15V
Tj=25°C
Resistive Load
5
2
1
0.5
t
f
0.4
toff
ton
0.2
0.1
0.05
tr
(V
CE
)
tf
0.2
t
ON
t
r(V
CE
)
0
0
20
40
60
80
0.02
10
30
100
300
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
(
)
Fig.9-
Collector Current vs. Switching Time
10
10
Fig.10-
Series Gate Impedance vs. Switching Time
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
GE
=±15V
Tj=125°C
Inductive Load
1
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
t
OFF
t
ON
V
CC
=300V
R
G
=20
V
GE
=±15V
Tj=125°C
Inductive Load
5
2
1
0.5
0.1
t
f
t
r(Ic)
toff
0.2
0.1
0.05
ton
tf
tr
(I
C
)
0.01
0.001
0
20
40
60
80
0.02
10
30
100
300
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
(
)
Fig.11-
Collector Current vs. Switching Loss
4
100
Fig.12-
Series Gate Impedance vs. Switching Loss
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
GE
=±15V
Tj=125°C
Inductive Load
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
3
V
CC
=300V
R
G
=20
V
GE
=±15V
Tj=125°C
Inductive Load
30
E
OFF
E
ON
10
2
E
ON
E
RR
3
E
OFF
1
1
E
RR
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.3
10
30
100
300
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
(
)
100
Fig.13-
Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig.14-
Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
500
80
trr
200
100
50
I
F
=50A
Tj=25°C
Tj=125°C
Forward Current I
F
(A)
60
40
20
10
5
I
RrM
20
0
0
1
2
3
4
2
0
50
100
150
200
250
300
Forward Voltage V
F
(V)
-di/dt (A/µs)
Fig.15-
Reverse Bias Safe Operating Area
200
R
G
=20
100
50
, V
GE
=±15V, Tj<125°C
Collector Current I
C
(A)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.16-
Transient Thermal Impedance
1x10
1
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(°C/W)
3
FRD
1
IGBT
3x10
-1
1x10
-1
3x10
-2
1x10
-2
T
C
=25°C
1 Shot Pulse
3x10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t (s)
京公网安备 11010802033920号
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