电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GT5J311(SM)

产品描述TRANSISTOR 5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-10S2C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小455KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档 详细参数 全文预览

GT5J311(SM)概述

TRANSISTOR 5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-10S2C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

GT5J311(SM)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明LEAD FREE, 2-10S2C, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)300 ns
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)45 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)500 ns
标称接通时间 (ton)400 ns

GT5J311(SM)文档预览

GT5J311,GT5J311(SM)
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
SILICON N CHANNEL IGBT
GT5J311, GT5J311(SM)
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
Third-generation IGBT
Enhancement mode type
High speed
Low saturation voltage
: t
f
= 0.30µs (Max.) (I
C
= 5A)
: V
CE
(sat) = 2.7V (Max.) (I
C
= 5A)
Unit: mm
FRD included between emitter and collector
MAXIMUM RATINGS
(Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
Collector−Emitter Voltage
Gate−Emitter Voltage
Collector Current
Emitter−Collector Forward
Current
Collector Power Dissipation
(Tc = 25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
DC
1ms
DC
1ms
SYMBOL
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
RATING
600
±20
5
10
5
10
45
150
−55~150
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.5g
2−10S1C
Unit: mm
EQUIVALENT CIRCUIT
MARKING
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.4g
5J311
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
2−10S2C
1
2004-07-06
GT5J311,GT5J311(SM)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
Gate Leakage Current
Collector Cut−Off Current
Gate−Emitter Cut−Off Voltage
Collector−Emitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Rise Time
Switching Time
Turn−On Time
Fall Time
Turn−Off Time
Peak Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance (IGBT)
Thermal Resistance (Diode)
SYMBOL
I
GES
I
CES
V
GE (OFF)
V
CE (sat)
C
ies
t
r
t
on
t
f
t
off
V
F
t
rr
R
th (j−c)
R
th (j−c)
I
F
= 5A, V
GE
= 0
I
F
= 5A, di / dt =
−100A
/ µs
TEST CONDITION
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0
V
CE
= 600V, V
GE
= 0
I
C
= 0.5mA, V
CE
= 5V
I
C
= 5A, V
GE
= 15V
V
CE
= 20V, V
GE
= 0, f = 1MHz
Inductive Load
V
CC
= 300V, I
C
= 5A
V
GG
= ±15V, R
G
= 180Ω
(Note 1)
MIN
5.0
TYP.
2.1
650
0.12
0.40
0.15
0.50
MAX
±500
1.0
8.0
2.7
0.30
1.8
200
2.8
3.76
V
ns
°C / W
°C / W
µs
UNIT
nA
mA
V
V
pF
Note 1: Switching time measurement circuit and input / output waveforms
Switching loss measurement waveforms
2
2004-07-06
GT5J311,GT5J311(SM)
3
2004-07-06
GT5J311,GT5J311(SM)
4
2004-07-06
GT5J311,GT5J311(SM)
5
2004-07-06
无线通信模块(数据手册+源代码)
RF24L01模块:数据手册+源代码...
伤逝 微控制器 MCU
PM50UB2
26289...
15075018luerdu 单片机
麻烦问下检测屏幕蓝光可以使用什么传感器
谢谢大家,有ti等公司的成品最好 ...
董威423 测试/测量
幸福夫妻的黄金比例出炉
144108 日前,幸福夫妻黄金比例出炉,身材有黄金比例,婚姻也一样,身高、年龄,甚至月薪之间的差异,都可能成为影响两人相处的因素。据了解,年龄差3岁月薪差1.5倍的夫妻,比较 ......
xuyiyi 聊聊、笑笑、闹闹
VGA典型示例
VGA典型例子,希望对有需要的你有所帮助...
lx773533 FPGA/CPLD
LINUX u-boot 命令大全
Printenv 打印环境变量。 Uboot> printenv baudrate=115200 ipaddr=192.168.1.1 ethaddr=12:34:56:78:9A:BC serverip=192.168.1.5 Environment size: 80/8188 bytes Setenv 配置新的变量 Uboot> ......
HOHO Linux开发

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 843  2780  2698  2574  227  48  42  43  3  45 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved