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NAND01GR4B2CN1E

产品描述Flash, 64MX16, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
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文件大小825KB,共57页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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NAND01GR4B2CN1E概述

Flash, 64MX16, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

NAND01GR4B2CN1E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP,
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm

 
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