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HB52E169E1-A6D

产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX4, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
产品类别存储    存储   
文件大小627KB，共66页
制造商Hitachi （Renesas ）
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HB52E169E1-A6D概述

Synchronous DRAM Module, 16MX4, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB52E169E1-A6D规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi （Renesas ）
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间6.9 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
长度133.595 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织16MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度43.18 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.546 A
最大压摆率2.58 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度4 mm

HB52E169E1-A6D文档预览

HB52E169E1-D
128 MB Registered SDRAM DIMM
16-Mword
×
72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module
(18 pcs of 16 M
×
4 Components)
PC100SDRAM
ADE-203-964 (Z)
Preliminary, Rev. 0.0
Nov. 3, 1998
Description
The HB52E169E1 belongs to 8-byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been
developed as an optimized main memory solution for 8-byte processor applications. The HB52E169E1 is a
16M
×
72
×
1-bank Synchronous Dynamic RAM Registered Module, mounted 18 pieces of 64-Mbit
SDRAM (HM5264405DTT) sealed in TSOP package, 1 piece of PLL clock driver (CDC2509B), 2 pieces
of register driver (ALVC16835) and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect
(PD). An outline of the HB52E169E1 is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the
HB52E169E1 makes high density mounting possible without surface mount technology. The
HB52E169E1 provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each
TSOP on the module board.
Note: PLL clock driver (CD2509B) of Hitachi is the same characteristics as TI’s one (CD2509A).
Features
•
Fully compatible with : JEDEC standard outline registered 8-byte DIMM
: Intel PCB Reference design (Rev.1.0)
•
168-pin socket type package (dual lead out)
Outline: 133.37 mm (Length)
×
43.18 mm (Height)
×
4.00 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
•
3.3 V power supply
•
Clock frequency: 100 MHz (max)
•
LVTTL interface
•
Data bus width:
×
72 ECC
•
Single pulsed
RAS
•
4 Banks can operates simultaneously and independently
•
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
•
Programmable burst length: 1/2/4/8/full page
•
2 variations of burst sequence
HB52E169E1-D
Sequential (BL = 1/2/4/8/full page)
Interleave (BL = 1/2/4/8)
•
Programmable
CE
latency : 3/4 (HB52E169E1-A6D)
: 4 (HB52E169E1-B6D)
•
Byte control by DQMB
•
Refresh cycles: 4096 refresh cycles/64 ms
•
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
•
Full page burst length capability
Sequential burst
Burst stop capability
Ordering Information
Type No.
HB52E169E1-A6D
HB52E169E1-B6D
Frequency
100 MHz
100 MHz
CE
latency
3/4
4
Package
168-pin dual lead out socket type
Contact pad
Gold
2
HB52E169E1-D
Pin Arrangement
1 pin 10 pin 11 pin
40 pin 41 pin
84 pin
85 pin 94 pin 95 pin 124 pin 125 pin
168 pin
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
Pin name
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
CC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
Pin No.
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
Pin name
V
SS
NC
S2
DQMB2
DQMB3
NC
V
CC
NC
NC
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
CC
DQ20
NC
NC
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
Pin No.
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
Pin name
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
CC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
CC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
Pin No.
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
Pin name
V
SS
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
V
CC
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
CC
DQ52
NC
NC
REGE
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
3
HB52E169E1-D
Pin No.
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
Pin name
V
CC
W
DQMB0
DQMB1
S0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10 (AP)
A12 (BA1)
V
CC
V
CC
CK0
Pin No.
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
Pin name
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
CC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CK2
NC
WP
SDA
SCL
V
CC
Pin No.
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
Pin name
V
CC
CE
DQMB4
DQMB5
NC
RE
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
A13 (BA0)
A11
V
CC
CK1
NC
Pin No.
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
Pin name
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CK3
NC
SA0
SA1
SA2
V
CC
4
HB52E169E1-D
Pin Description
Pin name
A0 to A11
Function
Address input
Row address
A0 to A11
Column address A0 to A9
A13/A12
DQ0 to DQ63
CB0 to CB7
S0, S2
RE
CE
W
DQMB0 to DQMB7
CK0 to CK3
CKE0
WP
REGE*
1
SDA
SCL
SA0 to SA2
V
CC
V
SS
NC
Note:
Bank select address
Data input/output
Check bit (Data input/output)
Chip select input
Row enable (RAS) input
Column enable (CAS) input
Write enable input
Byte data mask
Clock input
Clock enable input
Write protect for serial PD
Register enable
Data input/output for serial PD
Clock input for serial PD
Serial address input
Primary positive power supply
Ground
No connection
1. REGE is the Register Enable pin which permits the DIMM to operate in “buffered” mode and
“registered” mode. To conform to this specification, mother boards must pull this pin to high
state (“registered” mode).
BA0/BA1
5
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HB52E169E1-A6D相似产品对比

HB52E169E1-A6D HB52E169E1-B6D
描述 Synchronous DRAM Module, 16MX4, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 16MX4, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
厂商名称 Hitachi （Renesas ） Hitachi （Renesas ）
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 6.9 ns 6.9 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
长度 133.595 mm 133.595 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 4 4
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C 55 °C
组织 16MX4 16MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 43.18 mm 43.18 mm
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.546 A 0.546 A
最大压摆率 2.58 mA 2.58 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 4 mm 4 mm

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