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UMT2907AT107

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UMT, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准  
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UMT2907AT107概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UMT, 3 PIN

UMT2907AT107规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
基于收集器的最大容量8 pF
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
最大关闭时间(toff)180 ns
最大开启时间(吨)35 ns
VCEsat-Max1.6 V

UMT2907AT107相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UMT, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOLD, UMT, 3 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD, UMT, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOLD, UMT, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UMT, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UMT, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOLD, UMT, 3 PIN
零件包装代码 SC-70 SC-70 SC-70 SC-70 SC-70 SC-70 SC-70
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant unknown compliant compliant unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.05 A 0.2 A 0.2 A 0.6 A 0.6 A
基于收集器的最大容量 8 pF 8 pF 1.7 pF 4 pF 4.5 pF 8.5 pF 6.5 pF
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 15 V 40 V 40 V 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 30 20 30 30 20 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP NPN NPN NPN PNP PNP NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 250 MHz 600 MHz 300 MHz 250 MHz 200 MHz 250 MHz
VCEsat-Max 1.6 V 1 V 0.4 V 0.3 V 0.4 V 0.75 V 0.75 V
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 - -
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 - -
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) - - ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
JESD-609代码 e1 e1 - e1 e1 - -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 260 - -
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - -
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 - 10 10 - -
最大关闭时间(toff) 180 ns 285 ns - 250 ns 300 ns 255 ns 225 ns
最大开启时间(吨) 35 ns 35 ns - 70 ns 70 ns 35 ns 35 ns

 
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