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BZX85B4V3RLTA

产品描述4.3V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共9页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BZX85B4V3RLTA概述

4.3V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

BZX85B4V3RLTA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压4.3 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差2%
工作测试电流50 mA

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
1–1.3 Watt DO-41 Glass
Zener Voltage Regulator Diodes
GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL SERIES IN
THIS GROUP
GENERAL
DATA
1–1.3 WATT
DO-41 GLASS
1 WATT
ZENER REGULATOR
DIODES
3.3–100 VOLTS
One Watt Hermetically Sealed Glass
Silicon Zener Diodes
Specification Features:
Complete Voltage Range — 3.3 to 100 Volts
DO-41 Package
Double Slug Type Construction
Metallurgically Bonded Construction
Oxide Passivated Die
Mechanical Characteristics:
CASE:
Double slug type, hermetically sealed glass
MAXIMUM LEAD TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:
230°C, 1/16″ from
case for 10 seconds
FINISH:
All external surfaces are corrosion resistant with readily solderable leads
POLARITY:
Cathode indicated by color band. When operated in zener mode, cathode
will be positive with respect to anode
MOUNTING POSITION:
Any
WAFER FAB LOCATION:
Phoenix, Arizona
ASSEMBLY/TEST LOCATION:
Seoul, Korea
MAXIMUM RATINGS
Rating
DC Power Dissipation @ TA = 50°C
Derate above 50°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Symbol
PD
TJ, Tstg
CASE 59-03
DO-41
GLASS
Value
1
6.67
– 65 to +200
Unit
Watt
mW/°C
°C
1.25
PD , MAXIMUM DISSIPATION (WATTS)
L = 1″
L = 1/8″
L = 3/8″
0.75
L = LEAD LENGTH
TO HEAT SINK
1
0.5
0.25
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
180
200
Figure 1. Power Temperature Derating Curve
1–1.3 Watt DO-41 Glass Data Sheet
6-20
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