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NDB6030PLL86Z

产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小192KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDB6030PLL86Z概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,

NDB6030PLL86Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)90 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NDB6030PLL86Z相似产品对比

NDB6030PLL86Z NDP6030PLS62Z
描述 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω 0.025 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 90 A 90 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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