HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP14, DIP-14
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 系列 | HCT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | D FLIP-FLOP |
| 最大频率@ Nom-Sup | 18000000 Hz |
| 最大I（ol） | 0.0048 A |
| 位数 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出极性 | COMPLEMENTARY |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 传播延迟（tpd） | 52 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 最小 fmax | 18 MHz |
| MM54HCT74J | MM74HCT74N | MM74HCT74J | |
|---|---|---|---|
| 描述 | HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP14, DIP-14 | HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, PDIP14, DIP-14 | HCT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP14, DIP-14 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | DIP, DIP14,.3 | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 系列 | HCT | HCT | HCT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | R-PDIP-T14 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm | 19.18 mm | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | D FLIP-FLOP | D FLIP-FLOP | D FLIP-FLOP |
| 位数 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -40 °C |
| 输出极性 | COMPLEMENTARY | COMPLEMENTARY | COMPLEMENTARY |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | DIP14,.3 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 传播延迟（tpd） | 52 ns | 44 ns | 44 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| 最小 fmax | 18 MHz | 21 MHz | 21 MHz |
| 最大频率@ Nom-Sup | 18000000 Hz | 21000000 Hz | - |
| 最大I（ol） | 0.0048 A | 0.004 A | - |
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