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RN1401(TE85R2)

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小576KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1401(TE85R2)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1401(TE85R2)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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RN1401½RN1406
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1401, RN1402, RN1403
RN1404, RN1405, RN1406
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2401~RN2406
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1401
RN1402
RN1403
RN1404
RN1405
RN1406
R1 (kΩ
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
TO-236MOD
JEITA
SC-59
TOSHIBA
2-3F1A
Weight: 0.012g (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1401~1406
RN1401~1406
RN1401~1404
RN1405, 1406
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
200
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
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