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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BDS18SMD-JQR-B
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BDS18SMD-JQR-B

产品描述8A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小456KB，共3页
制造商SEMELAB
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BDS18SMD-JQR-B概述

8A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN

BDS18SMD-JQR-B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SEMELAB
零件包装代码TO-276AB
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-276AB
JESD-30 代码R-CBCC-N3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz

BDS18SMD-JQR-B文档预览

SILICON PLANAR EPITAXIAL
PNP TRANSISTOR
BDS18SMD
•
•
•
High Voltage
Hermetic Ceramic Surface Mount Package
Ideally suited for Power Linear, Switching
and general Purpose Applications
Screening Options Available
•
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TC = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
TJ
Tstg
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Continuous Collector Current
Base Current
TC
≤
75°C
Total Power Dissipation at
Derate Above 75°C
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
-120V
-120V
-5V
-8A
-2A
80W
0.64W/°C
-65 to +200°C
-65 to +200°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols
R
θJC
Parameters
Thermal Resistance, Junction To Case
Max.
1.56
Units
°C/W
** This datasheet supersedes document 3346
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However
Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to
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Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email:
sales@semelab-tt.com
Document Number 8669
Issue 1
Page 1 of 3
Website:
http://www.semelab-tt.com
SILICON PLANAR EPITAXIAL
PNP TRANSISTOR
BDS18SMD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise stated)
Symbols
V(BR)CEO
ICEO
ICBO
IEBO
hFE
(1)
(1)
Parameters
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Forward-current transfer
ratio
Test Conditions
IC = -10mA
VCE = -60V
VCB = -120V
VEB = -5V
IC = -0.5A
IC = -4A
IC = -0.5A
IC = -4A
IC = -1.0A
IB = 0
IB = 0
IE = 0
IC = 0
VCE = -2V
VCE = -2V
IB = -0.05A
IB = -0.4A
VCE = -2V
Min.
-120
Typ
Max.
Units
V
-0.1
-20
-10
40
15
250
150
-0.4
-1.5
-1.4
mA
µA
VCE(sat)
VBE(on)
(1)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Base-Emitter Voltage
V
(1)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
fT
Transition Frequency
IC = -0.5A
f = 5MHz
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
IC = -2A
IB1 = -0.2A
IC = -2A
VCC = -80V
VCC = -80V
0.5
µs
1.5
0.3
VCE = -4V
10
MHz
ton
ts
tf
IB1 = - IB2 = -0.2A
Notes
(1) Pulse Width
≤
300us,
δ ≤
2%
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
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Issue 1
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SILICON PLANAR EPITAXIAL
PNP TRANSISTOR
BDS18SMD
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
0.89
(0.035)
min.
3.70 (0.146)
3.41 (0.134)
3.70 (0.146)
3.41 (0.134)
3.60 (0.142)
Max.
4.14 (0.163)
3.84 (0.151)
1
3
0.76
(0.030)
min.
10.69 (0.421)
10.39 (0.409)
2
9.67 (0.381)
9.38 (0.369)
11.58 (0.456)
11.28 (0.444)
16.02 (0.631)
15.73 (0.619)
0.50 (0.020)
0.26 (0.010)
SMD1 (TO-276AB)
Underside View
Pad 1 – Base
Pad 2 – Collector
Pad 3 - Emitter
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
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BDS18SMD-JQR-B相似产品对比

BDS18SMD-JQR-B BDS18SMDR4 BDS18SMD-JQR-A BDS18SMD-JQR
描述 8A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN 8A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN 8A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN 8A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN
是否无铅 含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 SEMELAB SEMELAB SEMELAB SEMELAB
零件包装代码 TO-276AB TO-276AB TO-276AB TO-276AB
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 120 V 120 V 120 V 120 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 15 15 15
JEDEC-95代码 TO-276AB TO-276AB TO-276AB TO-276AB
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz

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