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BUZ100-E3044

产品描述Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共3页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ100-E3044概述

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN

BUZ100-E3044规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
零件包装代码TO-220AB
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)285 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)60 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)450 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)240 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)525 ns
最大开启时间(吨)210 ns

BUZ100-E3044相似产品对比

BUZ100-E3044 BUZ100-E3045 BUZ100-E3046
描述 Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 285 mJ 285 mJ 285 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 60 A 60 A 60 A
最大漏源导通电阻 0.018 Ω 0.018 Ω 0.018 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 450 pF 450 pF 450 pF
JESD-30 代码 R-PSSO-G3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 250 W 250 W 250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 240 A 240 A 240 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES NO
端子形式 GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 525 ns 525 ns 525 ns
最大开启时间(吨) 210 ns 210 ns 210 ns
厂商名称 SIEMENS - SIEMENS
Base Number Matches - 1 1
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