TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
FET 技术 | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss) | 8 pF |
JEDEC-95代码 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
MMBF4860 | PN4858 | |
---|---|---|
描述 | TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal | TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, FET General Purpose Small Signal |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | SINGLE | SINGLE |
FET 技术 | JUNCTION | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss) | 8 pF | 8 pF |
JEDEC-95代码 | TO-236AB | TO-92 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | ROUND |
封装形式 | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W | 0.36 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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