IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERDIP-16, Multiplexer or Switch
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| 最大输入电压 | 10 V |
| 最小输入电压 | -10 V |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.05 mm |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 正常位置 | NC |
| 信道数量 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 58 dB |
| 通态电阻匹配规范 | 10 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron) | 120 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电流 (Isup) | 11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长断开时间 | 500 ns |
| 最长接通时间 | 600 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | JFET |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| SW-02BQ/883 | SW01FQ | SW-02FQ | SW-02BQ | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERDIP-16, Multiplexer or Switch | IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERDIP-16, Multiplexer or Switch | IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERDIP-16, Multiplexer or Switch | IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERDIP-16, Multiplexer or Switch |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | not_compliant | compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST | SPST | SPST | SPST |
| 最大输入电压 | 10 V | 10 V | 10 V | 10 V |
| 最小输入电压 | -10 V | -10 V | -10 V | -10 V |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 19.05 mm | 19.05 mm | 19.05 mm | 19.05 mm |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
| 正常位置 | NC | NC | NC | NC |
| 信道数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 58 dB | 58 dB | 58 dB | 58 dB |
| 通态电阻匹配规范 | 10 Ω | 10 Ω | 10 Ω | 10 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron) | 120 Ω | 140 Ω | 140 Ω | 120 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -25 °C | -25 °C | -55 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT | SEPARATE OUTPUT | SEPARATE OUTPUT | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电流 (Isup) | 11 mA | 12 mA | 12 mA | 11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 最长断开时间 | 500 ns | 500 ns | 500 ns | 500 ns |
| 最长接通时间 | 600 ns | 600 ns | 600 ns | 600 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | JFET | JFET | JFET | JFET |
| 温度等级 | MILITARY | OTHER | OTHER | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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