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HM2110

产品描述Standard SRAM, 1KX1, 35ns, ECL, CDIP16
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文件大小84KB,共4页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM2110概述

Standard SRAM, 1KX1, 35ns, ECL, CDIP16

HM2110规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-GDIP-T16
JESD-609代码e0
长度19.3 mm
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
负电源额定电压-5.2 V
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度75 °C
最低工作温度
组织1KX1
输出特性OPEN-EMITTER
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
表面贴装NO
技术ECL
温度等级COMMERCIAL EXTENDED
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

HM2110文档预览

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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HM2110相似产品对比

HM2110 HM2110-1
描述 Standard SRAM, 1KX1, 35ns, ECL, CDIP16 Standard SRAM, 1KX1, 25ns, ECL, CDIP16
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 25 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0
长度 19.3 mm 19.3 mm
内存密度 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1
负电源额定电压 -5.2 V -5.2 V
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 16 16
字数 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 75 °C 75 °C
组织 1KX1 1KX1
输出特性 OPEN-EMITTER OPEN-EMITTER
可输出 NO NO
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm
表面贴装 NO NO
技术 ECL ECL
温度等级 COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm

 
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