HB66D3264BB-12概述

Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 12ns, MOS

HB66D3264BB-12规格参数

	HB66D3264BB-12	HB66D3264BB-8
描述	Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 12ns, MOS	Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 8ns, MOS
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns	8 ns
其他特性	8K X 8 TAG	8K X 8 TAG
JESD-30 代码	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160
内存密度	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	64	64
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	160	160
字数	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	32KX64	32KX64
输出特性	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.1 V	3.1 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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