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HM511002AZP-7

产品描述Static Column DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
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文件大小358KB,共15页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM511002AZP-7概述

Static Column DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20

HM511002AZP-7规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码ZIP
包装说明ZIP, ZIP20,.1
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式STATIC COLUMN
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PZIP-T20
JESD-609代码e0
长度25.61 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP20,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度10.16 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.85 mm
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