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20CTQ150-1PBF

产品描述10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小301KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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20CTQ150-1PBF概述

10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA

20CTQ150-1PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-262AA
包装说明LEAD FREE, MODIFIED TO-262, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.66 V
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1030 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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Bulletin PD-20648 rev. C 09/04
20CTQ150
20CTQ150S
20CTQ150-1
SCHOTTKY RECTIFIER
20 Amp
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Rectangular
waveform
V
RRM
I
FSM
@ tp = 5 µs sine
V
F
T
J
@ 10 Apk, T
J
= 125°C
(per leg)
range
Description/ Features
Units
A
V
A
V
This center tap Schottky ectifier has been optimized for low
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier
technology allows for reliable operation up to 175° C junction
temperature. Typical applications are in switching power
supplies, converters, free-wheeling diodes, and reverse bat-
tery protection.
175° C T
J
operation
Center tap configuration
Low forward voltage drop
High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
Values
20
150
1030
0.66
- 55 to 175
°C
Case Styles
20CTQ150
20CTQ150S
20CTQ150-1
Base
Common
Cathode
2
Base
Common
Cathode
2
Base
Common
Cathode
2
1
Anode
2
Common
Cathode
3
1
Anode
Anode
2
Common
Cathode
3
1
Anode
Anode
2
Common
Cathode
3
Anode
TO-220AB
D
2
PAK
TO-262
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